นักวิจัยจาก สถาบันวิทยาศาสตร์และเทคโนโลยีขั้นสูงของเกาหลี (Korea Advanced Institute of Science and Technology) ได้พัฒนาอุปกรณ์หน่วยความจำที่มีศักยภาพในการแทนที่ DRAM และ NAND flash memory
อุปกรณ์หน่วยความจำแบบเปลี่ยนเฟส (phase change memory) ที่ใช้พลังงานต่ำเป็นพิเศษนี้ได้ผสมผสานประสิทธิภาพความเร็วสูงของ DRAM เข้ากับความสามารถในการเก็บรักษาข้อมูลของ NAND แม้ในขณะที่ปิดเครื่อง